Seoul, Korea (pte, 18. Feb 2005 17:30) - 2006 wird der erste DDR3 (Double Data Rate) Chip auf den Markt kommen, der eine vierfach höhere Speicherkapazität als herkömmliche Chips besitzt. Dies kündigte der koreanische Technologiekonzern Samsung http://www.samsung.com an. Das Unternehmen setzt mit der Entwicklung des Prototypen DDR3 DRM (Dynamic Random Access Memory) einen neuen Standard für die kommende Generation der ultra-schnellen, low-power Memory-Chips. http://samsung.com/PressCenter/PressRelease/PressRelease.asp?seq=20050217_0000098353
"Unser Erfolg bei der Entwicklung des DDR3 ist ein weiterer Vorwärtsschritt für unsere unermüdlichen Bemühungen, die technisch am höchsten entwickelten Geräte mit der schnellstmöglichen Geschwindigkeit auf den Markt zu bringen", sagte Tom Quinn, Senior-Vizepräsident bei Samsung.
Der neue Chip verfügt über eine Kapazität von 512 Megabit und kann Daten mit einer Durchsatzrate von 1.066 Megabit pro Sekunde verarbeiten, was der doppelten Geschwindigkeit eines DDR2-Chips entspricht. Im Vergleich sind dies 8.000 gedruckte Seiten Text pro Sekunde. Die Betriebsspannung liegt jedoch bei lediglich 1,5 Volt, wodurch sich der neue Speicher besonders für Notebooks und andere portable IT-Geräte eignet. Dieser Aspekt des geringen Verbrauchs wird zukünftig von besonderer Bedeutung sein, in der zunehmend drahtloseren Kommunikation. Darüber hinaus soll sich der DDR3-Chip im Desktop- und Serverbereich als neuer Standard durchsetzen.
Der neue Chip bedient sich der hoch entwickelten 80nm Produktionstechnologie und integriert eine neue Funktionsweise, die es erlaubt, bisher unerreichte Prozessgeschwindigkeiten zu erlangen. Des Weiteren verfügt er über selbst-gesteuerte Kalibration und Daten-Synchronisation.
Der US-amerikanische IT-Marktforschungs-Spezailist IDC http://www.idc.com schätzt, dass die ersten DDR3 DRAM-Chips 2006 in den Handel kommen und bereits 2009 rund 65 Prozent des DRAM-Marktes einnehmen werden.
