Seoul (pte/13.09.2005/07:05) - Die südkoreanische Samsung Electronics http://www.samsung.com entwickelte NAND-Flash-Chips mit einer Speicherdichte von 16 Gigabit. Dies teilte das Unternehmen am Montag mit. Die neueste Generation von Flash-Speichern wird, wie das Branchenportal Cnet berichtet, in einer 50-Nanometer-Technik gefertigt. Die Produktion soll in der zweiten Jahreshälfte 2006 starten.
NAND-Speicher werden derzeit, mit maximaler Datendichte von 8 Gigabit, in Digitalkameras, Handys, PDAs und mp3-Playern verbaut. "Wir sind sicher, dass die NAND-Chip-Generation noch dieses Jahr zur meist verbreiteten Flash-Speicher-Art wird", sagte der Sprecher von Samsung. Speicherkarten könnten mit der 16 Gigabit-Technik auf die Kapazität von 32 Gigybyte gebracht werden, so das Unternehmen.
Der Flash-Speicher-Markt soll durch die Weiterententwicklung einen Schub bekommen. Kleine Speicher-Cips mit hoher Kapazität sollen zukünftig eine Alternative zu Mini-Festplatten werden. Zum Einsatz sollen sie in Laptops kommen, wo Festplatten dann von den Chips ersetzt werden.
