Washington/Santa Clara - Intels
Chipentwickler haben nach eigenen Angaben die Grundlagen für Prozessoren
im Tera Hertz-Bereich gelegt. Dazu setzen die Wissenschaftler der Intel
Labs auf ein vollständig neues Transistor-Design. Die Technologie soll
Chips mit hoher Taktfrequenz bei geringerem Energieverbrauch und
Hitzeentwicklung ermöglichen. Laut Intel sichert dieser Durchbruch im
Chipdesign das Weiterbestehen von Moores´ Gesetz über 2007 hinaus. Der
Halbleiterhersteller hat die Transistor-Technologie erstmals auf dem
International Electron Device Meeting in Washington vorgestellt.
http://www.intel.com/research/silicon/micron.htm
"Selbst wenn Transistoren abgeschaltet werden, verlieren sie Spannung wie
ein undichter Schlauch Wasser. Dieser Verlust verursacht
Hitzeentwicklung", erklärte Gerry Marcyk, Leiter der Entwicklungsteams
für Tera-Hertz-Transistoren. "Intels Design stopft diese Löcher und löst
damit zwei große Probleme in der Erzeugung von kleineren und schnelleren
Chips - Energieverlust und Hitzeentwicklung."
Dazu werden vor allem drei Änderungen in der Konstruktion der "Depleted
substrate Transistoren" eingesetzt. So verwendeten die
Intel-Wissenschaftler ein "High K Dialectric", das 10.000 Mal effektiver
sein soll, als das bisher verwendet Silizium-Dioxid, um den
Energieverlust am "Transistor Gate" zu minimieren. Daneben verstärkte
Intel die Elektroden auf dem Transistor und führte eine Isolierschicht
auf dem Chip ein. Intel will nach eigenen Angaben ab 2005 Elemente dieser
Technologie in seinen Prozessoren einsetzen.
