Yorktown Heights, New York (pte, 30. Sep 2003 12:08) - IBM http://www.ibm.com hat einen Transistor-Chip für Wireless-Geräte entwickelt, der entweder um das Fünffache weniger Strom als herkömmliche Technologien benötigen oder die Leistung um das Vierfache steigern soll. Das Unternehmen hat angekündigt, die Innovation heute, Dienstag, auf dem "2003 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting" im französischen Toulose vorzustellen.
Gerätehersteller der Wireless-Branche benötigen laut IBM künftig Misch-Signal-Chips, die sowohl Rechenanwendungen als auch Hochfrequenz-Kommunikationsanwendungen unterstützen. Der neue IBM-Chip nutzt daher einen dünnen Silizium-Wafer, der sowohl die Leistung von Rechen- als auch von Kommunikationskomponenten maximal steigern kann. Das Chip-Design könnte in den nächsten fünf Jahren eingeführt werden und beispielsweise Video-Streaming auf Handys möglich machen.
Heutige Rechenanwendungen basieren auf CMOS-Chips (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Radiofrequenz-Kommunikation und analoge Funktionen werden durch bipolare SiGe-Chips (Silizium-Germanium) ermöglicht. Obwohl CMOS-Chips eine höhere Leistung bringen, wenn sie auf einem dünnen SOI-Wafer (Silicon-On-Insulator) produziert werden, konnte bisher niemand eine Technik bereitstellen, um SiGe-Bipolar-Transistoren gleichfalls auf dem Wafer zu produzieren. IBM ist es damit erstmals gelungen, Rechen- und Kommunikations-Transistoren auf einem Wafer zu vereinen und damit deren Leistung maximal zu steigern. Die neuen SiGe-BiCMOS-Chips sollen die Zuverlässigkeit von Wireless-Geräten verbessern.
